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值得注意的是，与传统的“面背堆叠（F2B）”不同，博通直接将2nm的计算芯片与5nm的SRAM缓存芯片“正面贴正面”地键合在一起。这种原子级的铜-铜连接，使得每平方毫米可达成数万个互联点，大幅提升了芯片间的互联密度，同时显著降低了接口功耗。这种高密度、低功耗的互联能力，为算力密集型应用提供了基础。据悉，3.5D XDSiP 所采用的 F2F HCB 技术，很可能是台积电 SoIC-X（无凸块）堆叠技术的专属落地方案。和AMD的方案类似，尽管该方案采用了博通自主研发的设计架构与自动化流程，但因其同时融合了 2.5D 集成与 3D 堆叠两种技术，因此被定义为 “3.5D” 封装。
展望未来，Italy clai的发展趋势值得持续关注。专家建议，各方应加强协作创新，共同推动行业向更加健康、可持续的方向发展。